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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
66
Por volta de -175% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3305
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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