RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
66
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2998
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link