RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
66
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3151
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link