RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2486
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link