RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2486
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link