RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Gesamtnote
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
47
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
2308
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link