RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
94
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.6
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.9
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
5.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
4.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
1334
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link