RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2050
2124
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link