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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2933
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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