RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2628
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link