RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2271
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link