RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2271
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link