RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2490
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link