RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2490
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link