RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2278
2382
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link