RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
2846
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link