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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2846
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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