RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
55
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2078
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link