RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3509
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link