RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
41
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
2725
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link