RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3672
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link