RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
52
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
3692
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link