RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
3692
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link