RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
73
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
1724
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link