RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
73
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
1724
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link