RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
45
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
11.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
2831
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link