RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
2413
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link