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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
49
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2481
2413
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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