RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
34
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2390
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link