RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
34
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
23
Velocità di lettura, GB/s
16.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
2390
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link