RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
57
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2377
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link