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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
57
左右 40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
57
读取速度,GB/s
16.8
19.1
写入速度,GB/s
11.3
10.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2377
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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