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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
85
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
6.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
1118
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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