RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
49
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3379
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link