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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3379
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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