RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
49
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
10.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2429
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link