RAM-Vergleich Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Gesamtnote

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 62

Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.3 1,843.6

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 6400

Rund um 3.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

542 2709

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns