RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
62
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2709
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link