RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2772
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link