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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
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