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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Vergleichen Sie
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
4.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
29
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.4
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 4 6 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1286
2026
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
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