RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
62
Rund um -182% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2580
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link