RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

39 67

Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.1 6.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 3.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 12800

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1076 2478

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns