Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

39 67

En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.1 6.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.1 3.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 12800

En 2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1076 2478

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns