RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
31
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2554
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link