RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2554
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link