RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
85
Rund um 72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link