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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
3861
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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