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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
3861
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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