RAM-Vergleich Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 37

Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.7 16

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.1 12.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2926 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns